国产光刻机大进步：达到3nm，拿下国内60%份额，逼退美企

值得注意，在现阶段的显卡制造瓷中，光栅装置、熔化装置是必不必少的两个不可忽视来进行。

如果从所有的集成电路的设备的成本来看，光栅的设备占其中的20%，而喷涂的设备占其中的23%，两者占其中的43%的比例，确实证明光栅----喷涂有多不可忽视了。

光栅与喷涂也是成套可用的，光栅瓷后，就是喷涂瓷，缺一不必，不必替代。

而光栅装置多方面，国内的新技术很领先，这个大家都确切的。但熔化装置多方面，国内的新技术不必差，完全是国际先进的设备准确度。

之所以这么弱，这是因为主营一些公司，那就是中微集成电路，由尹志尧博士于2004年创立。

在创立中微集成电路之前，尹志尧博士曾在英特尔、泛林、应用材料等企业均工作过，积累了大量的经验、新技术和历练。

按照媒体的说法，尹志尧个人在集成电路行业包括86项英美两国知识产权和200多项各国知识产权，被誉为“硅谷最有建树的华侨之一”。

后来他注意到中国人集成电路新技术相对领先，于是在2004年的时候，他带着钱，带着一批精英高层次赴（据称第一批是15个），创办了中微，挺身刷新国外的主导。

在2007年的时候，中微研发出有了第一代等离子体熔化装置，并且世界各地首次采用可单台法理操纵的双底物台，效率甚至比国外同类其产品还要高30%。

然后中微慢慢的努力，中微的熔化装置新技术慢慢的变革，达致了世界各地最先进的设备的准确度，现阶段仍未被用作某的企业的3nm显卡生产线中。

而近日，中微更是暗示，中微在中国人导电谐振太阳风（CCP）熔化的设备市场的世界市场原计划将从去年10月的24%增至60%。在电感谐振太阳风（ICP）来进行市场，其世界市场可能会从几乎为零上升到75%。

合计来看，中微今年在国内的熔化世界市场，可能大大提高至60%，而之前占据主导地位的英美两国泛林集成电路、应用材料等，全部被中微打的节节败退了。

年中，决心其它国产集成电路的设备，特别是光栅装置，也尽可能像中微的熔化装置一样，达致世界各地先进的设备准确度，实现5nm、3nm，那么中国人显卡产业，就始终不怕英美两国卡脖子了。